FDT434P参数：MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：4,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1187pF@10V功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223-3
