FDT457N参数：MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.9nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：235pF@15V功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223-3
