FDT458P参数:MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):130毫欧@3.4A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):205pF@15V功率-最大值:1.1W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223-4