FDT86113LZ参数:MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:4,000系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 3.3A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):315pF @ 50V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223-4