FDU6512A参数:MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1,800系列:PowerTrench®包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 10.7A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1082pF @ 10V功率 - 最大值:1.6W安装类型:通孔封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装:I-Pak