FDU6612A参数：MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices28/May/2008标准包装：1,800系列：PowerTrench®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@9.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.4nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：660pF@15V功率-最大值：1.3W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak
