FDU8580参数：MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009标准包装：75系列：PowerTrench®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9毫欧@35A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1445pF@10V功率-最大值：49.5W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：TO-251AA
