FDU8778参数：MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009标准包装：75系列：PowerTrench®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14毫欧@35A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：845pF@13V功率-最大值：39W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak
