FDV302P参数:MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):25V电流-连续漏极(Id)(25°C时):120mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):10欧姆@200mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):0.31nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):11pF@10V功率-最大值:350mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23