FDW2501NZ参数:MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 5.5A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1286pF @ 10V功率 - 最大值:600mW安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商器件封装:8-TSSOP