FDW2508P参数:MOSFET P-CH DUAL 12V 6A 8-TSSOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 P 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):12V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 6A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2644pF @ 6V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商器件封装:8-TSSOP