FDY102PZ参数:MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):830mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):500 毫欧 @ 830mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):135pF @ 10V功率 - 最大值:446mW安装类型:表面贴装封装:SC-89,SOT-490供应商器件封装:SC-89-3