FDY2001PZ参数：MSOFET P-CH DUAL 20V SOT-563F
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： MoldCompound20/Aug/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：150mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8欧姆@150mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：100pF@10V功率-最大值：446mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563F
