FDZ191P参数：MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：5,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：800pF@10V功率-最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：6-UFBGA，WLCSP供应商器件封装：6-WLCSP