FDZ208P参数:MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 12.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2409pF @ 15V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装封装:30-WFBGA供应商器件封装:30-BGA(4x3.5)