FDZ293P参数：MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices23/Mar/2010标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：46毫欧@4.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：754pF@10V功率-最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：9-WFBGA供应商器件封装：9-BGA