FDZ293P参数:MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: MultipleDevices23/Mar/2010标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):46毫欧@4.6A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):11nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):754pF@10V功率-最大值:1.7W安装类型:表面贴装封装:9-WFBGA供应商器件封装:9-BGA