FDZ3N513ZT参数：MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：462 毫欧 @ 300mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：85pF @ 15V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：4-UFBGA，WLCSP供应商器件封装：4-WLCSP（1x1）
