FGA15S125P参数:IGBT SINGLE
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:450系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):1250V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.72V @ 15V, 15A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30ACurrent - Collector Pulsed (Icm):45A功率 - 最大值:136WSwitching Energy:1.24mJ输入类型:标准Gate Charge:129nCTd (on/off) A 25°C:10ns/400nsTest Condition:600V, 15A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PN