FGA30N120FTDTU参数:IGBT 1200V 60A 339W TO3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,30A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60ACurrent - Collector Pulsed (Icm):90A功率 - 最大值:339WSwitching Energy:1.7mJ输入类型:标准Gate Charge:208nCTd (on/off) A 25°C:31ns/198nsTest Condition:600V, 30A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):730ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P