FGA50N100BNTD2参数:IGBT NPT 1000V 50A TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:-包装:管件IGBT 类型:NPT 和沟道电压 - 集射极击穿(最大值):1000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.9V @ 15V,60A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50ACurrent - Collector Pulsed (Icm):200A功率 - 最大值:156WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:257nCTd (on/off) A 25°C:34ns/243nsTest Condition:600V, 60A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):60ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PN