FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT
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FGB30N6S2DT参数：IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：800
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.5V @ 15V，12A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：45A
Current - Collector Pulsed (Icm)：108A
功率 - 最大值：167W
Switching Energy：55µJ (开), 110µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：23nC
Td (on/off) A 25°C：6ns/40ns
Test Condition：390V, 12A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：35ns
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263AB