FGD3N60LSDTM参数:IGBT N-CH 600V FOR HID APP DPAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):1.5V@10V,3A电流-集电极(Ic)(最大值):6ACurrent-CollectorPulsed(Icm):25A功率-最大值:40WSwitchingEnergy:250µJ(开),1mJ(关)输入类型:标准GateCharge:12.5nCTd(on/off)A25°C:40ns/600nsTestCondition:480V,3A,470欧姆,10V反向恢复时间(trr):234ns封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak