FGH40T100SMD参数:IGBT N-CH 1000V 80A TO-247-3
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:150系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,40A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80ACurrent - Collector Pulsed (Icm):120A功率 - 最大值:333WSwitching Energy:2.35mJ (开), 1.15mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:265nCTd (on/off) A 25°C:29ns/285nsTest Condition:600V, 40A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):60ns封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-3