FGPF4533参数:IGBT PDP 330V TO-220-3FP
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路PCNAssembly/Origin: WaferFabrication04/Feb/2013标准包装:50系列:-包装:管件IGBT类型:沟道电压-集射极击穿(最大值):330V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):1.8V@15V,50A电流-集电极(Ic)(最大值):-Current-CollectorPulsed(Icm):200A功率-最大值:28.4WSwitchingEnergy:-输入类型:标准GateCharge:44nCTd(on/off)A25°C:6ns/40nsTestCondition:200V,20A,5欧姆,15V反向恢复时间(trr):-封装:TO-220-3整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220F