FII50-12E参数：IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
类别：分立半导体产品-IGBT - 阵列标准包装：24系列：-IGBT 类型：NPT配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.6V @ 15V，30A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A电流 - 集电极截止（最大值）：400µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：2nF @ 25V功率 - 最大值：200W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：通孔封装：i4-Pac?-5供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC?
