FJ3P02100L参数：MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： FJ3P02100LandFK3P02110LSeriesPowerCSPMOSFET’s PowerCSPMOSFETs标准包装：7,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.5毫欧@3.7A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.05V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：3000pF@10V功率-最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：3-SMD，非标准型供应商器件封装：3-PMCP
