FJZ594JBTF参数：IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：150µA @ 5V漏源极电压 (Vdss)：-漏极电流 (Id) - 最大值：1mAFET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：20V不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：600mV @ 1µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3.5pF @ 5V电阻 - RDS（开）：-安装类型：表面贴装封装：SOT-623F供应商器件封装：SOT-623F功率 - 最大值：100mW
