FK3P02110L参数：MOSFET N CH 24V 3A PMCP
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： FJ3P02100LandFK3P02110LSeriesPowerCSPMOSFET’s PowerCSPMOSFETs标准包装：7,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：24V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@3A，2.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF@10V功率-最大值：200mW安装类型：表面贴装封装：3-SMD，非标准型供应商器件封装：3-PMCP
