FMM60-02TF参数：MOSFET MOD N-CH 200V 33A I4-PAC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：25系列：-包装：管件FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：33A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3700pF @ 25V功率 - 最大值：125W安装类型：通孔封装：i4-Pac?-5供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC?
