FQA8N100C参数：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007标准包装：30系列：QFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.45欧姆@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：70nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3220pF@25V功率-最大值：225W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3PN
