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FQA8N80C

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相关型号： FQA8N100C FQA85N06 FQA7N90M_F109 FQA7N90M FQA7N90_F109 FQA7N90

FQA8N80C
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FQA8N80C参数：MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：30
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.55 欧姆 @ 4.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2050pF @ 25V
功率 - 最大值：220W
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3P

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