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FQA9N90C

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FQA9N90C-F109 优势库存
Fairchild
TO-3P
2023+
1030
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FQA9N90C 优势库存
FSC
TO-3P
2023+
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FQA9N90C
onsemi
TO-3P
2023+
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FQA9N90C-F109
onsemi
TO-3P
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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FQA9N90C
TO-3P
2023+
748
全新进口原装现货,特价热卖
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FQA9N90C-F109
FairchildSemic..
TO-3PN
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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FQA9N90C
FairchildSemic..
TO-3P-3,SC-6..
2023+
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FQA9N90C
FairchildSemic..
TO-3P-3（）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQA9N90C-F109
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TO-3PN-3
2023+
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FQA9N90CTU
FAIRCHILD
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2023+
6278
深圳现货，专业配套
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FQA9N90C-F109(SG)
2023+
8057
工厂配单，价格优势
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FQA9N90C-F109
2023+
8057
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FQA9N90C
FAIRCHILD
TO-3PN
2023+
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全新原装现货，价格优惠
FQA9N90C
10000
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SOP4
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FQA9N90C
FSC
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FQA9N90C
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13520
原装现货
相关型号： FQA9N90_F109 FQA9N50 FQA90N15_F109 FQA90N15 FQA90N10V2 FQA90N08

FQA9N90C
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FQA9N90C参数：MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
标准包装：450
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：900V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.4欧姆@4.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：58nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2730pF@25V
功率-最大值：280W
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3P

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