FQAF11N90参数:MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:360系列:QFET™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):900V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):960 毫欧 @ 3.6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):94nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3500pF @ 25V功率 - 最大值:120W安装类型:通孔封装:SC-94供应商器件封装:TO-3PF