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FQAF13N80

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相关型号： FQAF12P20 FQAF12N60 FQAF11N90C FQAF11N90 FQAF11N40 FQAF10N80

FQAF13N80
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FQAF13N80参数：MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：30
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：750毫欧@4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：88nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3500pF@25V
功率-最大值：120W
安装类型：通孔
封装：SC-94
供应商器件封装：TO-3PF

FQAF13N80

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