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FQB12N60C

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相关型号： FQB12N50TM_AM002 FQB11P06TM FQB11N40TM FQB11N40CTM FQB10N60CTM FQB10N50CFTM_WS

FQB12N60CTM
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FQB12N60CTM参数：MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
标准包装：800
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：650毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：63nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF@25V
功率-最大值：3.13W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D²PAK

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