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FQB12P10

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相关型号： FQB12N60TM_AM002 FQB12N60CTM FQB12N50TM_AM002 FQB11P06TM FQB11N40TM FQB11N40CTM

FQB12P10TM
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FQB12P10TM参数：MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：QFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 5.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 25V
功率 - 最大值：3.75W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D²PAK

FQB12P10

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