FQB13N10TM参数:MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:800系列:QFET™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 6.4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):450pF @ 25V功率 - 最大值:3.75W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D²PAK