FQB3N60CTM参数:MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: PassivationMaterial14/May/2008标准包装:800系列:QFET™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3.4欧姆@1.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):565pF@25V功率-最大值:75W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D²PAK