FQB6N80TM参数：MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：800系列：QFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：800V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.95欧姆@2.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF@25V功率-最大值：3.13W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263-2
