FQD10N20CTM参数：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：2,500系列：QFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：360毫欧@3.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：510pF@25V功率-最大值：50W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252-3
