FQD2N60CTF参数：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008标准包装：2,000系列：QFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.7欧姆@950mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：235pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
