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FQD3N60C

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FQD3N60CTM_WS
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FQD3N60CTM_WS参数：MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
标准包装：2,500
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.4欧姆@1.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：565pF@25V
功率-最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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