FQD3P20TF参数:MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,000系列:QFET™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 1.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 25V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:D-Pak