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FQD5N60CTF

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相关型号： FQD5N50TM FQD5N50TF FQD5N50CTM_F080 FQD5N50CTM FQD5N50CTF FQD5N40TM

FQD5N60CTF
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FQD5N60CTF参数：MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
标准包装：2,000
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5欧姆@1.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：670pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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