FQD5P10TM参数:MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:2,500系列:QFET™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.05欧姆@1.8A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):8.2nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):250pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:TO-252-3