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FQE10N20C

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FQE10N20CTU
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FQE10N20CTU参数：MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,920
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 25V
功率 - 最大值：12.8W
安装类型：通孔
封装：TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：TO-126

FQE10N20C

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