FQI27N25TU参数:MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:50系列:QFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):250V电流-连续漏极(Id)(25°C时):25.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):110毫欧@12.75A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):65nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2450pF@25V功率-最大值:3.13W安装类型:通孔封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA供应商器件封装:I2PAK