FQI4N20LTU参数:MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:50系列:QFET™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.35 欧姆 @ 1.9A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.2nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):310pF @ 25V功率 - 最大值:3.13W安装类型:通孔封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA供应商器件封装:I2PAK