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FQI9N50CTU

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相关型号： FQI9N25CTU FQI9N15TU FQI9N08TU FQI9N08LTU FQI8P10TU FQI8N60CTU

FQI9N50CTU
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FQI9N50CTU参数：MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
标准包装：1,000
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：800毫欧@4.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1030pF@25V
功率-最大值：135W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK

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